Доступно 150 шт.
Транзисторы КТ645А аналог BC547 (1 шт.)
Транзисторы КТ645А, КТ645Б.
Транзисторы КТ645 - кремниевые, усилительные, средней мощности высокочастотные, структуры - n-p-n.
КТ645А, КТ645Б - являются многофункциональными транзисторами общего назначения и могут использоваться в самых различных радиоэлектронных схемах.
В настоящее время КТ645 производятся на белорусском предприятии "Интеграл".
Корпус пластиковый TO-92.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 0,5 Вт.
Максимальное напряжение коллектор - эмиттер(постоянное):
У транзисторов КТ645А - 50 в.
У транзисторов КТ645Б - 40 в.
Максимальное напряжение коллектор - база(постоянное):
У транзисторов КТ645А - 60 в.
У транзисторов КТ645Б - 40 в.
Максимальное напряжение эмиттер-база (постоянное):
У транзисторов КТ645А - 4 в.
У транзисторов КТ645Б - 5 в.
Максимальный постоянный ток коллектора - 300мА, импульсный - 600мА.
Коэффициент передачи тока в схеме с "общим эмиттером" : У транзисторов КТ645А - от 20 до 200.
У транзисторов КТ645Б - свыше 80.
Обратный ток коллектор-база при температуре 20 градусов по Цельсию - не более 10 мкА.
Граничная частота передачи тока( fh21э ) - 250 мГц.
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер:
У транзисторов КТ645А при токе колектора 150 мА и токе базы 15 мА - не более 0,5 в.
У транзисторов КТ645Б при токе колектора 10 мА и токе базы 1 мА - 0,05 в.
Напряжение насыщения база - эмиттер - при токе колектора 150 мА и токе базы 15 мА - не более 1,2 в.
Аналоги КТ645А, КТ645Б.
Транзисторы КТ645А, КТ645Б были разработаны на основе импортных BC547. Соответственно, их почти всегда можно заменить именно - этими транзисторами.
