Транзистор IRF540N польовий транзистор №I-4

Транзистор IRF540N  польовий транзистор

N-канальний MOSFET (польовий транзистор)

Характеристики

• Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 130 W
• Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 100 V
• Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 20 V
• Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 4 V
• Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 33 A
• Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
• Загальний заряд затвора (Qg): 71(max) nC
• Час зростання (tr): 35 ns
• Вихідна ємність (Cd): 250 pf
• Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 0.044 Ohm
• Тип корпусу: ТО220АВ