15.00 грн.
Есть в наличии
Доступно 38 шт.
Доступно 38 шт.
Транзистор PNP КТ835Б 45V 7.5A (1 шт.)
Цоколевка транзистора КТ835Б
Обозначение транзистора КТ835Б на схемах
На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ835Б обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.
Характеристики транзистора КТ835Б
- Структура p-n-p
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 45 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 45 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 7500 мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (25) Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 10-100
- Обратный ток коллектора <=150 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>1 МГц
- Коэффициент шума биполярного транзистора <0.35 дБ
Аналоги транзистора КТ835Б
- 2N6011
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв