Доступно 18 шт.
IRF820 транзистор полевой
Технические характеристики:
Тип транзистора:
MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), Вт: 75
Предельно допустимое напряжение (Uds), В: 500
Предельно допустимое напряжение (Ugs), В: 20
Максимально допустимый постоянный ток (Id), А: 3
Максимальная температура канала (Tj), °С: 150
Выходная емкость (Cd), pf: 460
Сопротивление открытого транзистора (Rds), Ohm: 3
Тип корпуса: TO220